ICS 29.045 H80 中华人民共和国国家标准 GB/T 6618—2009 代替GB/T6618—1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法 Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices 2009-10-30发布 2010-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 G GB/T 6618—2009 前言 本标准代替GB/T6618—1995《硅片厚度和总厚度变化测试方法》。 本标准与GB/T6618—1995相比，主要有如下变化： 将适用范围扩展到外延片； 增加了第4章干扰因素； 一增加了150mm和200mm两种规格的基准环的尺寸； 增加了7.2仪器校正的内容 一 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：北京有研半导体材料股份有限公司。 本标准主要起草人：卢立延、孙燕、杜娟。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB6618—1986,GB/T6618—1995。 1 GB/T 6618—2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法 1范围 本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立式和扫 描式测量方法。 本标准适用于符合GB/T12964、GB/T12965、GB/T14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变 化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 (GB/T 2828.1—2003,ISO 2859-1:1999,IDT) GB/T12964 硅单晶抛光片 GB/T12965硅单晶切割片和研磨片 GB/T14139硅外延片 3方法概述 3.1分立点式测量 在硅片中心点和距硅片边缘6mm圆周上的4个对称位置点测量硅片厚度。其中两点位于与硅片 （见图1）。硅片中心点厚度作为硅片的标称厚度。5个厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值称 作硅片的总厚度变化。 图1分立点测量方式时的测量点位置