ICS 13.280 c 57 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 11713—2015 代替GB11713—1989 高纯锗能谱分析通用方法 General analytical methods of high-purity germanium gamma spectrometer 2015-06-02发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 11713—2015 目 次 前言 II 范围 1 术语和定义 2 谱仪配置及主要部件基本要求 3 刻度源和系统刻度 4 样品测量 5 6 计算 报告 7 附录A（资料性附录）G能量刻度用的单能和多能核素 附录B（规范性附录）能谱仪刻度源的制备 10 附录C（规范性附录） 能谱测量的探测下限 12 GB/T 11713—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB11713一1989《用半导体谱仪分析低比活度放射性样品的标准方法》。本标准 与GB11713—1989相比，主要技术变化如下： 标准的名称改为《高纯锗能谱分析通用方法》； 一标准的性质由强制性改为推荐性； 修改了测量所用探测器为HPGe探测器，并修改了能量分辨力和探测效率等相关的参数 要求； 增加了本征探测效率、相对探测效率和探测下限三个术语； 修改了能谱仪对高压，谱放大器、多道脉冲幅度分析器的相关要求； 一 增加了“刻度源的溯源性”； 一 一增加了能量刻度曲线的计算方法； 增加了附录C"能谱仪刻度源的制备”。 本标准由中华人民共和国国家卫生和计划生育委员会提出并归口。 林大学公共卫生学院。 本标准主要起草人：徐翠华、赵力、周强、拓飞、王川健、吕焱、张庆、任天山、张京、李文红、张建峰 本标准于1989年9月首次发布。 ZAC GB/T11713—2015 高纯锗能谱分析通用方法 1范围 本标准规定了使用高纯锗（HPGe）能谱仪分析样品中丫放射性核素的通用方法。 2术语和定义 SAC 下列术语和定义适用于本文件。 2.1 本征探测效率intrinsicdetectionefficiency 用以表示探测器本身性能的参数。它等于记录的脉冲数与人射到探测器灵敏体积内的光子数的 比值。 2.2 相对探测效率relativedetectionefficiency 7.62cm×7.62cm）探测器测量60Co源1332.5keV射线的全吸收峰面积之比。 2.3 核素全吸收峰探测效率totalabsorptiondetectionefficiencyfornuclide 对于给定的测量条件以及该核素所发射的能量为E，的特征辐射，探测到的全吸收峰内的净计 数与同一时间间隔内辐射源中该核素的衰变总数的比值。 2.4 射线全吸收峰探测效率totalabsorptiondetectionefficiencyforgamma-ray 对于给定的测量条件和射线能量，探测到的全吸收峰内的净计数与同一时间间隔内辐射源发射 的该能量的射线总数的比值。 2.5 本底background 无被测辐射源（样品）时，其他因素，如宇宙射线、放射性污染、电磁干扰等在所研究的谱的能量区间 造成的计数。 2.6 全能峰半高全宽度fullwidthathalfmaximum；FWHM 2.7 能量分辨力energyresolution 探测器分辨能量不同却又非常相近的人射射线的能力。能量分辨力与入射射线能量有关，对 于指定能量的单能射线，常用该能量的全吸收峰的半高全宽度来表示 2.8 康普顿散射干扰disturbancefromComptonscattering 辐射源发射多个能量的?射线，其中较高能量射线的康普顿散射计数对较低能量射线的全吸 1 GB/T11713—2015 收峰分析产生的干扰。这种干扰大多数表现为较低能量射线的（全）能峰下的连续谱的基底计数的 增加。 2.9 本底干扰background disturbance 本底对于待测物理量（如全吸收峰）的干扰。 2.10 密度差异干扰 tdisturbance from densitydifference 待测样品与刻度源间的密度差异（如超过10%）对于待测物理量的干扰。 2.11 探测下限lowerlimitofdetection;LLD 在给定的置信度下，谱仪可探测的最低活度。 3谱仪配置及主要部件基本要求 3.1能谱仪 3.1.1典型高纯锗能谱仪构成图 本标准规定的高纯锗谱仪的典型构成如图1所示。 高压电源 低压电源 电源 屏蔽室 半导体 丫射线 多道脉冲幅度 探测器 前置放大器 主放大器 数据处理系统 分析器（MCA) （计算机） 图1典型高纯锗？能谱仪的构成图 3.1.2半导体射线探测器 宜采用探测效率高（灵敏体积较大）、能量分辨力好的高纯锗半导体探测器，可以是N型或P型。 探测器的相对探测效率一般应大于20%，对6°Co1332.5keV射线的能量分辨力应优于2.5keV探 测器的能量响应上限应不低于2MeV。HPGe探测器要在低温状态下工作（85K100K)，工作温度 要稳定，可采用液氮制冷或电制冷。探测器与配套的低噪声电荷灵敏前置放天器一体化组装 3.1.3屏蔽室 3.1.3.1探测器应置于厚度至少10cm铅当量的铅或钢铁作屏蔽物质的外辐射屏蔽室中，屏蔽室内壁 距探测器灵敏体积表面的距离至少13cm。当铅制屏蔽室内壁与探测器的距离小于25cm时，在屏蔽 室的内表面应有原子序数逐渐递减的多层内屏蔽。内壁从外向里依次衬有厚度不小于1.6mm的镉或 锡、不小于0.4mm的铜以及厚度为2mm～3mm的有机玻璃。此外，屏蔽室应设置放、取样品的门或 窗，以便放取样品。 3.1.3.2探测器在屏蔽室内，在40keV~2000keV能区内应没有天然放射性核素以外的污染。 2