UDC 621. 382. 213 : 001. 4 K 04 中华人民共和国国家标准 GB/T 2900.3294 电工术语 电力半导体器件 Electrotechnical terminology Power semiconductor device 1994-05-16发布 1995-01-01实施 国家技术监督局发布 中华人民共和国国家标准 GB/T 2900.32—94 电工术语 电力半导体器件 代替GB2900.3282 Electrotechnical terminology Power semiconductor device 本标准参照采用了国际电工委员会（IEC)出版物747《半导体器件》和出版物50（521）《国际电工词 汇半导体器件和集成电路》中有关整流管、晶体管、晶闸管及其通用的术语。 1主题内容与适用范围 本标准规定了电力半导体器件的专用术语。 本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译专业手册、教材及书刊。 2基础术语 2.1物理学名词 2.1.1 半导体 semiconductor 种电阻率通常在金属和绝缘体之间，并在一定温度范围内载流子浓度随温度升高而增加的物 质。 2.1.2本征半导体intrinsic semiconductor；I-型半导体 I -type semiconductor 一种在热平衡下传导电子和可动空穴密度几乎相等的高纯半导体或完全相等的理想半导体。 2.1.3非本征半导体extrinsic semiconductor 一种载流子浓度取决于杂质或其他缺陷的半导体。 2.1.4N型半导体N-type semiconductor；电子型半导体electron semiconductor 一种在热平衡下传导电子密度显著大于可动空穴密度的非本征半导体。 2.1.5P型半导体P-typesemiconductor；空穴型半导体holesemiconductor 一种在热平衡下可动空穴密度显著大于传导电子密度的非本征半导体。 2.1.6 结 junction 在半导体中或金属与半导体之间，具有不同电特性两区域之间的过渡区域。 2.1.7 PN 结 PN junction 半导体 P型区和 N型区之间的结。 2.1.8合金结alloyed junction 由一种或几种金属材料与半导体晶体合金化形成的结。 2.1.9扩散结diffused junction 由杂质扩散进入半导体晶体内形成的结。 2.1.10生长结 grown junction 由熔融态半导体生长晶体形成的结。 2.1.11 外延结 epitaxy junction 在半导体晶体衬底上，沉积生长晶体形成的结。 国家技术监督局1994-05-16批准 1995-01-01实施 1 GB/T 2900.32-94 2.1.12 键合结 bonding junction 由不同导电性能的两种半导体晶体直接键合形成的结。 2.1.13 突变结 abrupt junction 在杂质浓度梯度的方向上，结的宽度远小于空间电荷区宽度的一种结。 2. 1. 14 缓变结progressivejunction 在杂质浓度梯度的方向上，结的宽度与空间电荷区宽度差不多的-一种结。 2.1.15欧姆接触ohmic contact 电压-电流特性遵从欧姆定律的非整流性的电和机械接触。 2.1.16杂质impurity a.单元素半导体中的掺杂原子； b. 2.1.17* 传导电子conductionelectrons 在电场或浓度梯度的作用下，半导体导带中能自由流动的电子。 2.1.18 传导电流conductioncurrent 在外电场的作用下，自由电荷载流子在物质中的定向运动。 2.1.19空穴hole 特性象正电荷载流子、在正常填满的能带中出现的空位。 2.1.20（电荷)载流子（charge）carrier 半导体中的自由传导的电子、空穴或离子。 2.1.21 多数载流子majority carrier 大于（自由）载流子总浓度半数的一种载流子。 2.1.22少数载流子minority carrier 小于（自由）载流子总浓度半数的一种载流子。 2.1.23过剩载流子excess carrier；非平衡载流子，non-eguilibrium carrier 超过按热平衡方法确定的载流子数量的传导电子或空穴。 2.1.24体寿命（少数载流子的）bulk lifetime（of minority carrier） 在均匀半导体的体内，过剩少数载流子密度因复合减小到其初始值的1/e时所需要的时间。 2.1.25空间电荷区（半导体的）space chargeregion（of semiconductor） 净电荷密度不为零的区域。 注：净电荷密度由传导电子、空穴、离化的受主和施主决定。 2.1.26 耗尽层 depletion layer 可移动的载流子密度不足以中和固定的施主和受主净电荷密度的区域。 2.1.27击穿(反向偏置 PN 结的）breakdown(of a reverse biased PN junction) 由高动态电阻状态转变到初始低动态电阻状态时，所观察到反向电流开始剧烈增加的现象。 2.1.28雪崩击穿(半导体 PN结的）avalanche breakdown(of a semiconductor PN junction) 在强电场的作用下，半导体中些自由载流子获得能量并电离产生新的电子-空穴时，致使自 由载流子倍增引起的击穿。 2.1. 29 雪崩电压avalanchevoltage 产生雪崩击穿所施加的电压。 2.1.30热击穿(半导体 PN结的）thermal breakdown (of a semiconductor PN junction) 由于耗散功率和结温的相互促增作用，使载流子累积增加引起的击穿。 2.1.31 穿通（在两个PN结之间）punch-through（between two PN junction)） 两个PN结的空间电荷区由于其一或两者的扩展而至相接触造成的导电现象。 2 GB/T 2900.32-94 2.1.32光电效应photoelectric effect 由于辐射和物质之间的相互作用而吸收光子并随即产生可移动载流子的现象。 2.1.33光（生）伏（打）效应photovoltaiceffect 产生电动势的一种光电效应。 2.2通用术语 2.2.1端（半导体器件的）terminal（ofa semiconductordevice） 半导体器件上连接外部导体的有效连接点。 2.2.2端子(半导体器件的）terminal(of a semiconductor device） 用以连接器件本体和外部导体的导电件。 2.2.3电极（半导体器件的）electrode（of asemiconductordevice） 半导体器件规定区域与端子之间提供电接触的部分。 2.2.4正向(PN结的）forward direction(of aPN junction) 连续（直流）电流沿PN结低阻流通的方向。 2.2.5反向(PN结的）reverse direction (of a PN junction) 连续（直流）电流沿PN结高阻流动的方向。 2.2.6（等效)结温(virtual) junction temperature 基于半导体器件的热电校准关系，通过电测量得到的结温。 2.2.7额定结温rated junction temperature 半导体器件正常工作时所允许的最高结温，在此温度下，一切有关的额定值和特性都应得到保 证。 2.2.8贮存温度storage temperature 半导体器件在没有任何电压施加情况下的存放温度。 2.2.9热降额因数thermal derating factor 由于环境和管壳温度的增加，耗散功率额定值必须减小的比例。 2.2.10 管壳温度 case temperature 在半导体器件管壳规定点测得的温度。 2.2. 11 基准点温度reference point temperature 在半导体器件的管壳或管壳紧密接触的散热器上规定的并可以测量的点的温度。 2.2.12 热阻 thermal resistance 在热平衡条件下，两规定点（或区域)之间温度差与产生这两点温度差的耗散功率之比。 结壳热阻为半导体器件结温和管壳规定点的温度差与器件耗散功率之比，散热器热阻为散热 器上规定点和环境规定点温度的差与产生这两点温差的耗散功率之比。 注：假定器件耗散功率产生的全部热流流经热阻。 2.2.13瞬态热阻抗transient thermal impedance 在某一时间间隔末，两规定点（或区域）温差变化与引起这一温差变化在该时间间隔初始按阶 跃函数变化的耗散功率之比。 2.2.14脉冲条件下的热阻抗thermal impedance under pulse conditions 由脉冲功率产生的最大结温和规定外部基准点温度的差与由规定周期序的矩形脉冲在器件中 产生的耗散功率幅值之比。 注：①忽略初始瞬态现象，并假定直流功率耗散为零。 ②脉冲条件下的热阻抗以脉冲持续时间为函数，以占空因数为参数给出。 2.2.15热容（半导体器件的）thermal capacitance（of a semiconductor device） 作为热量贮存在器件里的能量与器件结温和规定外部基准点温度的差之商。 3 GB/T 2900.32-94 2.2.16（等效)热网络equivalen