ICS 17. 020 N 05 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T7666—2005 代替GB/T7666—1987 传感器命名法及代码 Nomenclature and code for transducers 2005-07-29发布 2006-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T7666—2005 目 次 前言 范围 1. 2传感器命名方法 3传感器代号标记方法 传感器代号 附录A（资料性附录） 传感器产品名称与标记代号对照表 GB/T7666—2005 前言 本标准沿袭了GB/T7666—1987的结构。 本标准代替GB/T7666—1987。 本标准与GB/T7666—1987相比主要变化如下： a）2.1.5括号中灵敏度”修改为“精度”。 b）2.2.3中“简化表征”修改为"命名”。 c）3中“拼音字母和阿拉伯数字”修改为“拼音字母（或国际通用标志）和阿拉伯数 字..” d）3.1中增加“注：代号标记方法按2.2.3执行”。 3.2.2中...·依此类推。当被测量….”修改为“依此类推。当被测量有国际通用标志 e） 时，应采用国际通用标志。当被测量…….”。 表2中删除被测量“［表压”“［差压”“［绝}压”及其它们的代号。 g) 表2中被测量“速度”的代号修改为“V”。 h) 表2中被测量“声”的代号修改为“SH”。 i) 表2中被测量"血压”的代号修改为“[XIY”。 j) 附录A中删除产品名称“表压传感器”、“差压传感器”、“绝压传感器”及其标记代号。 附录A中“速度传感器”标记代号修改为CV-”；“磁电式速度传感器”标记代号修改为“CV CD-”；“光纤速度传感器”标记代号修改为“CV-GX-” 1) 附录A中“声传感器”标记代号修改为CSH-” m) 附录A中pH值传感器”修改为“pH传感器”。 附录A中“血压传感器”标记代号修改为“C[XY-”；“应变[计]式血压传感器”标记代号修改 标记代号修改为"C[X]Y-GX-"。 本标准的附录A为资料性附录。 本标准由仪器仪表元器件标准化技术委员会提出并归口。 究所、信息产业部电子第四十九所、中国科学院合肥智能研究所等参加起草。 本标准主要起草人：赵忠诚、李妍君、唐祯安、周兆英、廖延彪、任恕、王玉江、王善慈、虞承端、林洪、 孙仁涛。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T7666—1987。 1 GB/T7666—2005 传感器命名法及代码 1范围 本标准规定了传感器的命名方法、代号标记方法、代号 本标准适用于传感器的生产，科学研究、教学以及其他有关领域。 2传感器命名方法 2.1命名法的构成 -种传感器产品的名称，应由主题词加四级修饰语构成 2. 1. 1 主题词——传感器。 2. 1.2 第一级修饰语一一被测量，包括修饰被测量的定语。 2. 1. 3 第二级修饰语一一转换原理，一般可后续以“式”字。 2. 1.4 第三级修饰语一一特征描述，指必须强调的传感器结构、性能、材料特征、敏感元件以及其他必要的 性能特征，一般可后续以“型”字。 2. 1.5 第四级修饰语一一主要技术指标（量程、测量范围、精度等）。 2.2命名法范例 2.2.1题目中的用法 本命名法在有关传感器的统计表格、图书索引、检索以及计算机汉字处理等特殊场合，应采用2.1 所规定的顺序。 示例1：传感器，位移，应变[计]式，100mm； 注：内的词，在不引起混淆时，可省略（下同）。 示例2：传感器，声压，电容式，100～160dB； 示例3：传感器，加速度，压电式，土20g； 示例4：传感器，压力，压阻式，［单晶硅，600kPa； 示例5：传感器，差压，谐振式，智能型，35kPa。 2.2.2正文中的用法 在技术文件、产品样本、学术论文、教材及书刊的陈述句子中，作为产品名称应采用与2.1相反的 顺序。 示例1：100mm应变式位移传感器； 示例2：100~160dB电容式声压传感器： 示例3：土20g压电式加速度传感器； 示例4：600kPa[单晶］硅压阻式压力传感器； 示例5：35kPa智能[型谐振式差压传感器。 2.2.3修饰语的省略 当对传感器的产品名称命名时，除第一级修饰语外，其他各级可视产品的具体情况任选或省略 示例1：业已购进150只各种测量范围的半导体压力传感器。 1 GB/T7666—2005 示例2：广告中介绍了我厂生产的电容式液位传感器 示例3：附加的测试范围只适用于差压传感器。 示例4：订购100mm位移传感器10只。 示例5：加速度传感器可用作汽车安全气囊 2.2.4传感器命名构成及各级修饰语举例一览表 表1列举了典型传感器的命名构成及各级修饰语的示例，可供传感器命名时参照。 表1典型传感器命名构成及各级修饰语举例一览表 第四级修饰语 技术指标 第三级修饰语——特征 第一级修饰语 第二级修饰语 描述（传感器结构、性 主题词 范围（量程、 被测量 转换原理 能、材料特征、敏感元 测量范围、灵 单位 件或辅助措施等） 敏度等) 压力 压阻式 [单晶]硅 0~2.5 MPa 力 应变式 柱式[结构 0~100 kN 重量(称重) 应变式 悬臂梁式[结构] 0~10 kN 力矩 应变式 静扭式[结构] 0~500 N.m 速度 磁电式 600 cm/s 加速度 电容式 [单晶]硅 ±5 g 振动 磁电式 5~1000 Hz 流量 电磁[式] 插人式[结构] 0.5~10 m/h 位移 电涡流[式] 非接触式[结构] 25 mm 液位 压阻式 投入式[结构] 0~100 m 厚度 超声（波)[式］ 1.5~99.99 mm 传感器 角度 伺服式 ±1～±90 (度）° 密度 谐振式 0.3~3.0 g/mL 温度 光纤[式] 800~2500 ℃ (红外)光 光纤[式] 20 mA 磁场强度 霍尔[式] 砷化缘 0~2 T 电流 霍尔[式] 砷化镓或锑化钢 0~1200 A 电压 电感式 0~1000 V (噪)声 40~120 dB (Oz)气体 电化学 0~25 %VOL 湿度 电容式 高分子薄膜 10~90 %RH 结露 94~100 %RH pH 参比电极型 -2～+16 (pH) 注：）内的词为可换用词，即同义词（下同）