ICS 31.200 L 55 中华人民共和国国家标准 GB/T 33922—2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的 圆片级试验方法 Wafer level test methods for MEMS piezoresistive pressure-sensitive die performances 2018-02-01实施 2017-07-12 发布 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 33922—2017 目 次 前言 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 4试验条件 4.1 大气条件 4.2 电磁条件 4.3 振动条件 4.4 测试系统 5试验的一般规定 5.1 证书文件 5.2 预热时间 5.3 连接方式 6试验内容和方法 6.1 试验准备 6.2 电阻 6.3 常压输出 6.4 静态性能试验 6.5 温度性能试验 GB/T33922—2017 前言 本标准按照GB/T1.12009给出的规则起草， 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336)提出并归口， 本标准主要起草单位：北京大学、中机生产力促进中心、北京必创科技股份有限公司、中国电子科 技集团公司第十三研究所、中北大学。 本标准主要起草人：张威、程红兵、陈得民、李海斌、崔波、石云波、朱悦 Ⅲ GB/T 33922—2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的 圆片级试验方法 1范围 本标准规定了MEMS压阻式压力敏感芯片（简称压力敏感芯片）的术语和定义、试验条件、试验的 一般规定、试验内容和方法， 本标准适用于闭环和开环MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T26111微机电系统（MEMS)技术术语 3 术语和定义 GB/T20522和GB/T26111界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3.1 压阻式压力敏感芯片piezoresistivepressure-sensitivedie 采用MEMS技术在硅衬底上制造腔膜结构，在膜上制作半导体电阻并组成惠斯通电桥，利用半导 体的压阻效应实现将压力信号转化为电信号的芯片。 3.2 闭环压阻式压力敏感芯片closedlooppiezoresistivepressure-sensitivedie 惠斯通电桥为封闭结构的压力敏感芯片。 3.3 开环压阻式压力敏感芯片openlooppiezoresistivepressure-sensitivedie 惠斯通电桥为开放结构的压力敏感芯片。 4试验条件 4.1大气条件 除非另有规定外，所有试验都应在以下条件进行： a） 标准大气条件： 温度：15℃~35℃； 相对湿度：20%~80%； 大气压力：86kPa~106kPa。 1 GB/T 33922—2017 b）标准参比大气条件 温度：20℃； 相对湿度：65%； 大气压力：101.3kPa。 注：此标准参比大气条件是其他任何大气条件下测得的值通过计算加以修正的大气条件。通常认为在多数情况 下，不可能有湿度修正因子。在这种情况下，标准参比大气仅考虑温度和压力。 4.2 电磁条件 试验场地除地磁场外，应无其他外界磁场 4.3 振动条件 试验场地测试台应无机械振动。 4.4 测试系统 测试系统主要由探针台、压力控制装置、温度控制装置、激励电源、读数记录装置组成。试验条件的 容许误差参考如下： a）压力控制装置基本误差的绝对值应小于压力敏感芯片基本误差限的1/3。 b) 温度控制装置的温度测量精度应为预置温度的土2℃。 c） 激励电源的稳定度应小于压力敏感芯片基本误差限的1/5。 d) 读数记录装置基本误差的绝对值应小于压力敏感芯片基本误差限的1/5。 5试验的一般规定 5.1 证书文件 试验用的主要仪器设备和计量器具必须具有计量检定单位签发的有效期内的检定证书。 5.2 预热时间 试验前，仪器仪表应进行通电预热，预热时间按其使用说明书中的规定。 3连接方式 5.3 测试系统按照系统管路图和电路图的规定连接。 6试验内容和方法 6.1试验准备 使用标准电阻样片校准探针台的电阻测试系统。按照5.3连接好测试系统，将压力敏感芯片晶圆 固定在探针台上，确保探针（或探针卡）在同一水平面。调节承片台高度和扫描水平线，保证自动测试过 程中压力敏感芯片焊盘与探针的可靠连接；在控制软件中设定参数（步距；片径）。 SZ6.2电阻 6.2.1目的 确定压力敏感芯片的电阻值。 2