(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202123389333.2 (22)申请日 2021.12.31 (73)专利权人 广东先导 微电子科技有限公司 地址 511517 广东省清远市高新区创兴三 路16号A车间 (72)发明人 刘良副　宋向荣　董晨晨　刘火阳　 马金峰　周铁军　 (74)专利代理 机构 北京天盾知识产权代理有限 公司 11421 专利代理师 肖小龙 (51)Int.Cl. B24B 29/02(2006.01) B24B 27/00(2006.01) B24B 41/06(2012.01) (54)实用新型名称 一种双面抛光装置 (57)摘要 本实用新型属于 半导体抛光加工设备领域， 具体公开了一种双面抛光装置， 所述抛光装置包 括放置晶片的游星轮、 夹着所述游星轮而对置配 置的上盘与下盘， 所述游星轮、 上盘、 下盘均可沿 同一中心轴线进行相对旋转， 所述上盘和下盘相 对的表面分别为上盘抛光面和下盘抛光面， 所述 上盘抛光面包括平面抛光面和相对平面抛光面 向外凸出的凸起抛光面， 所述凸起抛光面的高度 为500~1000μm。 本实用新型所述双面抛光装置 的上盘设置凸起抛光面， 可以减少上盘在边缘的 压力， 结合双抛晶片的运动轨迹， 让晶片边缘掉 量与晶片中心中心掉量一致 或差别不大， 可以生 产平整度更好， 无塌边的 晶片。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 CN 216830241 U 2022.06.28 CN 216830241 U 1.一种双面抛光装置， 其特征在于， 包括放置晶片的游星轮、 夹着所述游星轮而对置配 置的上盘与下盘， 所述游星轮、 上盘、 下盘均可沿同一中心轴线进行相对旋转， 所述上盘和 下盘相对的表面分别为上盘抛光面和下盘抛光面， 所述上盘抛光面包括平面抛光面和相对 平面抛光 面向外凸出的凸起抛光 面， 所述凸起抛光 面的高度为5 00~1000 μm。 2.如权利要求1所述的双面抛光装置， 其特征在于， 所述凸起抛光面位于上盘抛光面的 中部或内侧位置 。 3.如权利要求1所述的双面抛光装置， 其特征在于， 所述凸起抛光面为以中心轴线为中 心的旋转对称结构。 4.如权利要求3所述的双面抛光装置， 其特征在于， 所述凸起抛光面为以中心轴线为中 心的圆环结构。 5.如权利要求1所述的双面抛光装置， 其特征在于， 所述凸起抛光面的面积为上盘抛光 面面积的60%及以上。 6.如权利要求1所述的双面抛光装置， 其特征在于， 所述平面抛光面和凸起抛光面之间 设置为过渡倒圆角。 7.如权利要求1~6任一项所述的双面抛光装置， 其特征在于， 所述凸起抛光面为与平面 抛光面和下盘抛光 面平行的水平面。 8.如权利要求1~6任一项所述的双面抛光装置， 其特征在于， 在中心轴 线沿着晶片的径 向方向上， 凸起抛光 面的凸起高度逐渐减少。 9.如权利要求1所述的双面抛光装置， 其特征在于， 所述上盘与 下盘相对的表面均设置 有抛光垫， 抛光垫与上盘、 下盘的抛光 面贴合设置 。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 216830241 U 2一种双面 抛光装置 技术领域 [0001]本实用新型属于半导体抛光加工设备领域， 更具体地， 涉及一种半导体双面抛光 装置。 背景技术 [0002]磷化铟具有很多优良的性能， 如： 直接跃迁型能带结构、 禁带宽度较宽、 光电转换 效率较高、 电子迁移率高、 抗辐射能力较强等， 被广泛应用于高频微波器件和电路， 太阳能 电池， 光纤通信等领域。 [0003]目前市面上磷化铟双面抛光装置 的上盘为平面， 在抛光过程中， 从中心沿着工件 的径向， 工件的线速度越来越大， 导致晶片不同位置的掉量不一致， 晶片的边缘出现塌边， 导致其平整度整体 较差。 [0004]为了解决磷化铟晶片的塌边问题， 提高晶片的平整度水平， 需要优化抛光装置 。 实用新型内容 [0005]针对现有技术中存在的上述问题， 本实用新型的目的在于提供一种可解决磷化铟 晶片的塌边问题， 提高晶片的平整度水平的半导体双面抛光装置 。 [0006]为实现上述目的， 本实用新型 所采用的技 术方案是： [0007]一种双面抛光装置， 包括放置 晶片的游星轮、 夹着所述游星轮而对置配置 的上盘 与下盘， 所述游星轮、 上盘、 下盘均可沿同一中心轴线进行相对旋转， 所述上盘和下盘相对 的表面分别为上盘抛光面和下盘抛光面， 所述上盘抛光面包括平面抛光面和相对平面抛光 面向外凸出的凸起抛光 面， 所述凸起抛光 面的高度为5 00~1000 μm。 [0008]进一步的， 所述凸起抛光 面位于上盘抛光 面的中间或内侧位置 。 [0009]进一步的， 所述凸起抛光面为以中心轴线为中心的旋转对称结构， 进一步优选所 述凸起抛光 面为以中心轴线为中心的圆环结构。 [0010]进一步的， 所述凸起抛光 面的面积为上盘抛光 面面积的60%及以上。 [0011]进一步的， 所述平面抛光 面和凸起抛光 面之间设置为过渡倒圆角。 [0012]进一步的， 所述凸起抛光 面为与平面抛光 面和下盘抛光 面平行的水平面。 [0013]进一步的， 在中心轴线沿着晶片的径向方向上， 凸起抛光 面的凸起高度逐渐减少。 [0014]进一步的， 所述上盘与下盘相对的表面均设置有抛光垫， 抛光垫与上盘、 下盘的抛 光面贴合设置 。 [0015]本实用新型 所产生的有益效果 为： [0016]本实用新型所述双 面抛光装置的上盘设置凸起抛光面， 可以减少上盘在边缘的压 力， 结合双抛晶片的运动轨迹， 让晶片边缘掉量与晶片中心中心 掉量一致或差别不大， 可以 生产平整度更好， 无塌边的 （磷化铟） 晶片。说　明　书 1/3 页 3 CN 216830241 U 3