(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210867553.1 (22)申请日 2022.07.21 (66)本国优先权数据 202111339730.0 2021.1 1.12 CN (71)申请人 忱芯电子 （苏州） 有限公司 地址 215200 江苏省苏州市吴江区黎里镇 汾湖大道5 58号 (72)发明人 刘弘耀　毛赛君　丁育杰　 (51)Int.Cl. H05K 7/20(2006.01) H05K 1/18(2006.01) H01L 23/367(2006.01) H02M 1/00(2007.01) (54)发明名称 高频高功率密度扁平化SiC MOSFET 逆变器 (57)摘要 本申请涉及功率器件， 公开了一种高频高功 率密度扁平化SiC  MOSFET逆变器， 包括位于PCB 板上的偶数组单管组， 所述单管组阵列设置， 每 组所述单管 组由多个单管并联而成。 通过上述技 术方案中单管的摆放方式有利于保证各单管在 PCB板上的功率回路杂感保持一致， 以实现良好 的均流特性， 且 减小整体占用空间。 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 CN 115052467 A 2022.09.13 CN 115052467 A 1.高频高功率密度扁平化SiC  MOSFET逆变器， 其特征在于， 包括位于PCB板 （10） 上的偶 数组单管组 （11） ， 所述单管组 （11） 阵列设置， 每组所述单管组 （11） 由多个单管 （1） 并联而 成。 2.根据权利要求1所述的高频高功率密度扁平化SiC  MOSFET逆变器， 其特征在于， 逆变 器的DC母线的薄膜电容 （3） 、 陶瓷电容 （4） 以及贴片电阻 （5） 位于相邻列单 管组 （11） 之间。 3.根据权利要求2所述的高频高功率密度扁平化SiC  MOSFET逆变器， 其特征在于， 所述 薄膜电容 （3） 与所述陶瓷电容 （4） 分别位于所述PCB板 （10） 两面同一区域， 且相对设置， 所述 贴片电阻 （5） 位于所述陶瓷电容 （4） 同一 面且位于陶瓷电容 （4） 两侧。 4.根据权利 要求3所述的高频高功率密度扁平化SiC  MOSFET逆变器， 所述薄膜电容 （3） 与两侧所述单 管组 （11） 之间的距离相等。 5.根据权利要求3所述的高频高功率密度扁平化SiC  MOSFET逆变器， 其特征在于， 逆变 器的驱动电源变压器 （6） 位于所述陶瓷电容 （4） 同侧。 6.根据权利要求5所述的高频高功率密度扁平化SiC  MOSFET逆变器， 其特征在于， 所述 驱动电源变压器 （6） 为平面变压器。 7.根据权利要求1 ‑6中任一所述的高频高功率密度扁平化SiC  MOSFET逆变器， 其特征 在于， 相邻列所述单 管组 （11） 内的单 管 （1） 以错 开一个单管 （1） 的方式并排设置 。 8.根据权利要求1 ‑6中任一所述的高频高功率密度扁平化SiC  MOSFET逆变器， 其特征 在于， 每个所述单 管 （1） 对应设置有一个散热器 （2） 。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115052467 A 2高频高功率密 度扁平化SiC  MOSFET逆变 器 技术领域 [0001]本申请涉及功率器件， 尤其涉及一种高频高功率密度扁平化SiC  MOSFET逆变 器。 背景技术 [0002]目前， 多单管并联逆变器广泛应用于大功率电力电子变换器中。 但是， 多颗单管 并 联目前面临着很多挑战， 包括如何保证各并联单管之间的均流性能， 如何提高逆变器整体 的功率密度等。 [0003]SiC MOSFET相比于硅基功率半导体器件具有更高的开关速度， 器件均流难度大。 如图1所示， 相关技术方案多采取将并联单管1一字排开固定到一个散热器2上， 这种方案应 用于SiC MOSFET并联时， 不仅均流度难以保证， 更是使得整个逆变器体积很难做小。 如图2 所示， 另外一种常用方案是每个单管1使用一个散热器2， 各单管1并排摆放， 但是这样占用 较大空间。 发明内容 [0004]针对上述关键问题， 本申请提供了一种高频高功率密度扁平化SiC  MOSFET逆变 器， 可以实现良好的均流 性能， 且能够减小 整体占用空间。 [0005]本申请提供的高频高功率密度扁平化SiC  MOSFET逆变 器的技术方案为： 高频高功率密度扁平化S iC MOSFET逆变器， 包括位于PCB板上的偶数组单管组， 所 述单管组阵列设置， 每组所述单 管组由多个单 管并联而成。 [0006]通过采用上述技术方案， 通过上述技术方案中单管的摆放方式有利于保证各单管 在PCB板上的功率回路杂感保持一 致， 以实现良好的均流特性， 且 减小整体占用空间。 [0007]在一些实施方式中， 逆变器 的DC母线的薄膜电容、 陶瓷电容以及贴片电阻位于相 邻列单管组之间。 [0008]通过采用上述技术方案， 有效利用PCB板面积， 大大增加了逆变器的功率密度， 同 时， 保证陶瓷电容加贴片电阻回路足够靠近SiC  MOSFET， 减小回路杂感， 降低MOSFET电压应 力。 [0009]在一些实施方式中， 所述薄膜电容与所述陶瓷电容分别位于所述PCB板两面 同一 区域且相对设置， 所述贴片电阻位于所述陶瓷电容同一 面且位于陶瓷电容两侧。 [0010]通过采用上述 技术方案， 进一 步有效利用PCB板面积， 增 加逆变器的功率密度。 [0011]在一些实施方式 中， 所述薄膜电容与两侧所述单 管组之间的距离相等。 [0012]通过采用上述技术方案， 保证薄膜电容和各个并联MOSFET单管距离一致， 使得并 联MOSFET间均流设计更加容 易。 [0013]在一些实施方式 中， 逆变器的驱动电源变压器位于所述陶瓷电容同侧。 [0014]在一些实施方式 中， 所述驱动电源变压器为平面变压器。 [0015]通过采用上述技术方案， 将驱动电源变压器位设置于陶瓷电容 同侧， 且采用平面 变压器， 进一步降低整个逆变器高度， 整个逆变器高度最 终由散热器、 P CB板厚度、 驱动电源说　明　书 1/3 页 3 CN 115052467 A 3