(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111665372.2 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人 北京烁科精微电子装备有限公司 地址 100176 北京市大兴区经济技 术开发 区泰河三 街1号2幢2层101 (72)发明人 司马超　尹影　庞浩　刘晓亮　 (74)专利代理 机构 北京三聚阳光知识产权代理 有限公司 1 1250 代理人 王艺涵 (51)Int.Cl. B08B 7/00(2006.01) B08B 13/00(2006.01) H01L 21/02(2006.01) H01L 21/67(2006.01) H01L 21/677(2006.01) (54)发明名称 一种晶圆等离 子清洗装置及晶圆加工设备 (57)摘要 本发明涉及晶圆清洗装置设备技术领域， 具 体涉及一种晶圆等离子清洗装置及晶圆加工设 备。 晶圆等离子清洗装置包括： 清洗腔体， 其一个 侧面敞口以适于晶圆进出， 清洗腔体外侧设有适 于固定在EFEM区的安装部； 多个电极板， 固定于 清洗腔体内且每个电极板皆水平布置， 多个电极 板间隔分布且相邻电极板的极性相反， 电极板的 上表面设有一组支撑块， 每组支撑块适于支撑一 个晶圆， 支撑块由非金属材质制成， 支撑块的支 撑面与对应电极板的上表面之间形成适于EFEM 机械手取放料的间隙； 自动式插板阀， 安装在清 洗腔体敞口的侧面， 且适于控制清洗腔体的开 闭。 本发明提供的晶圆等离子清洗装置， 能够提 高晶圆的清洗效率， 同时避免晶圆受到二次污 染。 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 CN 114308905 A 2022.04.12 CN 114308905 A 1.一种晶圆等离 子清洗装置， 其特 征在于， 包括： 清洗腔体(1)， 其一个侧面敞口以适于晶圆进出， 所述清洗腔体(1)外侧设有适于固定 在EFEM区(6)的安装部(1 1)； 多个电极板(2)， 固定于所述清洗腔体(1)内且每个电极板(2)皆水平布置， 多个电极板 (2)间隔分布且相邻电极板(2)的极性相反， 所述电极板(2)的上表面设有一组支撑块(3)， 每组支撑块(3)适于支撑一个晶圆， 所述支撑块(3)由非金属材质制成， 所述支撑块(3)的支 撑面与对应电极板(2)的上表面之间形成适于 EFEM机械手(7)取放料的间隙； 自动式插板阀(4)， 安装在 所述清洗腔体(1)敞口的侧面， 且适于控制所述清洗腔体(1) 的开闭。 2.根据权利要求1所述的晶圆等离子清洗装置， 其特征在于， 每组支撑块(3)的数量≥ 3， 且分别适于支撑在晶圆的不同边缘位置， 所述支撑块(3)的上表面设有适于定位晶圆的 台阶。 3.根据权利要求2所述的晶圆等离子清洗装置， 其特征在于， 所述台阶的阶梯面(31)为 水平面， 所述阶梯的阶梯侧面(32)为倾斜面和竖直面的组合面， 所述竖直面的下端与所述 水平面相 接， 所述竖直面的上端与所述倾斜面的下端相 接， 且所述倾斜面的上端向远离所 述阶梯面(31)的方向延伸。 4.根据权利要求3所述的晶圆等离子清洗装置， 其特征在于， 所述水平面与对应电极板 (2)的上表面之间的距离≥10m m。 5.根据权利要求1 ‑4任一项所述的晶圆等离子清洗装置， 其特征在于， 每组支撑块(3) 设有四个， 所述支撑块(3)通过紧 固件固定在所述电极板(2)上。 6.根据权利要求1所述的晶圆等离子清洗装置， 其特征在于， 所述电极板(2)与所述清 洗腔体(1)的内侧壁之间通过绝 缘条(5)相隔。 7.根据权利要求1所述的晶圆等离子清洗装置， 其特征在于， 所述电极板(2)的表面镀 有非金属膜。 8.根据权利要求1 ‑4、 6、 7任一项所述的 晶圆等离 子清洗装置， 其特 征在于， 还 包括： 第一条形导电板(21)， 竖直固定在所述清洗腔体(1)内， 且与同种极性的所有电极板 (2)连接； 第二条形导电板(22)， 竖直固定在所述清洗腔体(1)内， 且与同种极性的所有电极板 (2)相接， 且第二条形导电板(22)与第一条形导电板(21)分别连接于不同极性的电极板 (2)。 9.一种晶圆加工设备， 其特 征在于， 包括： 主机台； EFEM区(6)， 适于实现晶圆的自动上 下料； 如权利要求1 ‑8任一项所述的晶圆等离子清洗装置， 其通过所述安装部(11)固定在所 述EFEM区(6)； EFEM机械手(7)， 适于实现晶圆在主机台和清洗腔体(1)中的上 下料。 10.根据权利要求9所述的晶圆加工设备， 其特征在于， 所述EFEM区(6)包括晶圆装载 台， 所述晶圆装载台与所述清洗腔体(1)的高度一 致。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114308905 A 2一种晶圆等离 子清洗装 置及晶圆加工设 备 技术领域 [0001]本发明涉及晶圆清洗装置技术领域， 具体涉及一种晶圆等离子清洗装置及晶圆加 工设备。 背景技术 [0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅 晶片， 其原始材料是硅。 晶圆在完成工艺加 工后， 表面仍会附着微量污染物(包括SiO2、 Al2O3、 抛光液有机物等颗粒物)， 需要通过清洗 加以去除。 其中， 等离 子清洗技 术以其清洗效果上的绝对 优势脱颖而出。 [0003]现有晶圆等离子清洗技术， 受限于设备在工厂的占地面积要求， 皆将等离子清洗 装置放置在主机台内部以减小占地。 等离子清洗装置受限于主机台的框架结构设计及器件 布局， 尺寸设计较小， 只能满足同时清洗1～2片晶圆的要求， 清洗效率低。 另外， 现有晶圆等 离子清洗装置的真空腔主要采用手动开关， 无法有效的确保晶圆制 造工艺的洁净度要求， 清洗完成后容 易对晶圆造成二次污染。 发明内容 [0004]因此， 本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中晶圆等离子清洗装置清洗效 率低且易对晶圆造成二次污染的缺陷， 从而提供一种清洗效率高且能避免晶圆二次污染的 晶圆等离 子清洗装置及晶圆加工设备。 [0005]本发明提供的 晶圆等离 子清洗装置， 包括： [0006]清洗腔体， 其一个侧面敞口以适于 晶圆进出， 所述清洗腔体外侧设有适于固定在 EFEM区的安装部； [0007]多个电极板， 固定于所述清洗腔体内且每个电极板皆水平布置， 多个电极板间隔 分布且相邻电极板的极性相反， 所述电极板的上表面设有一组支撑块， 每组支撑块适于支 撑一个晶圆， 所述支撑块由非金属材质制成， 所述支撑块的支撑面与对应电极板的上表面 之间形成适于 EFEM机械手取放料的间隙； [0008]自动式插板阀， 安装在所述清洗腔体敞口的侧面， 且适于控制 所述清洗腔体 的开 闭。 [0009]可选的， 每组支撑块的数量≥3， 且分别适于支撑在晶圆的不同边缘位置， 所述支 撑块的上表面设有适于 定位晶圆的台阶。 [0010]可选的， 所述台阶的阶梯面为水平面， 所述阶梯的阶梯侧面为倾斜面和竖直面的 组合面， 所述竖直面的下端与所述水平面相 接， 所述竖直面的上端与所述倾斜面的下端相 接， 且所述 倾斜面的上端向远离所述阶梯面的方向延伸。 [0011]可选的， 所述水平面与对应电极板的上表面之间的距离≥10m m。 [0012]可选的， 每组支撑块设有四个， 所述支撑块 通过紧固件固定在所述电极板上。 [0013]可选的， 所述电极板与所述清洗腔体的内侧壁之间通过绝 缘条相隔。 [0014]可选的， 所述电极板的表面镀有非金属膜。说　明　书 1/6 页 3 CN 114308905 A 3