(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 2021231386 65.3 (22)申请日 2021.12.14 (73)专利权人 武汉信达易 通科技有限公司 地址 430223 湖北省武汉市洪山区东湖新 技术开发区武汉大学科技园武大航域 A1座6层 (72)发明人 程乐顺　 (74)专利代理 机构 武汉大楚知识产权代理事务 所(普通合伙) 42257 专利代理师 徐杨松 (51)Int.Cl. G01N 21/39(2006.01) G01N 21/01(2006.01) (54)实用新型名称 一种TDLAS 气体检测装置 (57)摘要 本实用新型涉及一种TDLAS气体检测装置， 包括激光器、 探测器和吸收池， 所述气体检测装 置还包括一套反射镜组； 所述激光器和探测器固 定安装在吸收池的同侧， 所述反射镜组粘接固定 在吸收池内， 与激光器和探测器相对的一侧； 所 述反射镜组包括第一反射镜和第二反射镜， 所述 第一反射镜与激光器出光方向呈45度角布置， 所 述第二反射镜与第一反射镜 呈90度角布置； 所述 第二反射镜为漫反射镜； 所述激光器和探测器布 置在吸收池的两端， 所述第一反射镜和第二反射 镜布置在吸收池另一侧的两端。 本实用新型基于 TDLAS气体检测技术， 通过巧妙的光 路设计， 有效 增加有效光程， 而且还能够抑制反射光的干扰， 检测灵敏度和精度均较高。 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 CN 217443165 U 2022.09.16 CN 217443165 U 1.一种TDLAS气体检测装置， 包括激光器 （2） 、 探测器 （3） 和吸收池 （4） ， 其特征在于， 所 述气体检测装置还包括一套反射镜组； 所述激光器 （2） 和探测器 （3） 固定安装在吸收池 （4） 的同侧， 所述反射镜组粘接固定在吸收池 （4） 内， 与激光器 （2） 和探测器 （3） 相对的一侧； 所 述反射镜组包括第一反射镜 （6） 和第二反射镜 （7） ， 所述第一反射镜 （6） 与激光器 （2） 出光方 向呈45度角布置， 所述第二反射镜 （7） 与第一反射镜 （6） 呈90度角布置， 以确保激光器 （2） 发 出的光， 经第一反射镜 （6） 和第二反射镜 （7） 反射后射入探测器 （3） ； 所述第二反射镜 （7） 为 漫反射镜； 所述激光器 （2） 和探测器 （3） 布置在吸收池 （4） 的两端， 所述第一反射镜 （6） 和第 二反射镜 （7） 布置在吸 收池 （4） 另一侧的两端。 2.根据权利 要求1所述的一种TDLAS气体检测装置， 其特征在于： 所述第一反射镜 （6） 为 全反射镜 。 3.根据权利要求1所述的一种TDLAS气体检测装置， 其特征在于： 所述气体检测装置还 包括有封装框体 （1） ， 所述激光器 （2） 、 探测器 （3） 和吸 收池 （4） 安装在封装框体 （1） 内。 4.根据权利 要求3所述的一种TDLAS气体检测装置， 其特征在于： 所述封装框体 （1） 内开 设有固定吸收池 （4） 的开口槽， 所述开口槽与反射镜组相对的一侧设置有分别用于安装激 光器 （2） 和探测器 （3） 的第一装配槽 （8） 和第二装配槽 （9） 。 5.根据权利 要求3所述的一种TDLAS气体检测装置， 其特征在于： 所述吸收池 （4） 内侧与 激光器 （2） 和探测器 （3） 相对的一侧， 开设有一对与吸收池 （4） 的光路方向呈45度角的斜面， 所述第一反射镜 （6） 和第二反射镜 （7） 分别粘接固定安装在一对斜 面上。 6.根据权利 要求4所述的一种TDLAS气体检测装置， 其特征在于： 所述第一装配槽 （8） 和 第二装配槽 （9） 同轴设置在半导体封装内， 所述半导体封装固定安装在开口槽的旁侧。 7.根据权利 要求1所述的一种TDLAS气体检测装置， 其特征在于： 所述激光器 （2） 为波长 可调式激光器。 8.根据权利 要求7所述的一种TDLAS气体检测装置， 其特征在于： 所述激光器 （2） 包括套 管 （2a） 和固定安装在套管 （2a） 尾部的连有 连接线 （2f） 的底座 （2b） ， 所述套管 （2a） 内固定安 装有与连接线 （2f） 电性连接的激光芯片 （2c） 和发出激光的发光部件 （2d） 。 9.根据权利要求8所述的一种TDLAS气体检测装置， 其特征在于： 所述套管 （2a） 的头部 固定安装有准 直镜 （2e） 。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 217443165 U 2一种TDLAS气体检测装 置 技术领域 [0001]本实用新型 涉及气体 检测技术领域， 特别涉及一种TDLAS 气体检测装置 。 背景技术 [0002]TDLAS(Tunable  Diode Laser Absorption  Spectroscopy)是可调谐半导体激光 吸收光谱技术的简称。 TDLAS气体检测技术是利用激光器波长调制通过被测气体的特征吸 收区， 在二极管激光器和长光程吸收池技术相结合的基础上发展起来的新的气体检测方 法。 TDLAS技术已经发展成为一种高灵敏度、 高分辨率、 高选择性及快速响应的气体检测技 术。 具体来说， 半导体激光器发射出特定波长的激光束穿过被测气体时， 被测气 体对激光束 进行吸收导致激光强度衰减， 激光强度的衰减与被测气体含量成正比， 因此通过测 量激光 强度衰减信息就可以分析获得被测气体的浓度。 而由于气体分子吸收光谱特征各不相同， 所以扫描得到谱线就如同 “身份证”或“指纹”， 在检测浓度的同时， 还可以获知气体成分。 [0003]由Beer‑Lambert吸收定律可知， 气体对激光的吸收作用与激光通过待测气体的有 效光程成正比。 因此， 在TDLAS气体检测技术， 增加有效光程是提高检测 灵敏度和检测精度 的最有效的手段。 现有技术通常采用增加吸收池的长度来增加有效光程， 但是这样的方式 会使检测设备的体积变得极为庞大， 携带和使用均十分不便 。 实用新型内容 [0004]本实用新型针对现有技术中存在的至少一种技术问题， 提供一种TDLAS气体检测 装置， 基于TDLAS气 体检测技术， 通过巧妙的光路设计， 有效增加有效光程， 而且还能够抑制 反射光的干扰， 检测灵敏度和精度均较高。 [0005]本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下： 一种TDLAS气体检测装置， 包括激 光器、 探测器和吸收池， 所述气 体检测装置还包括一套反射镜组； 所述激光器和探测器固定 安装在吸收池的同侧， 所述反射镜组粘接固定在吸收池内， 与激光器和探测器相对的一侧； 所述反射镜组包括第一反射镜和 第二反射镜， 所述第一反射镜与激光器出光方向呈45度角 布置， 所述第二反射镜与第一反射镜呈90度角布置， 以确保激光器发出的光， 经第一反射镜 和第二反射镜反射后射入探测器； 所述第二反射镜为漫反射镜； 所述激光器和探测器布置 在吸收池的两端， 所述第一反射镜和第二反射镜布置在吸 收池另一侧的两端。 [0006]在上述技术方案的基础上， 本实用新型还可以做如下改进。 [0007]进一步， 所述第一反射镜为全反射镜 。 [0008]进一步， 所述气体检测装置还包括有封装框体， 所述激光器、 探测器和吸收池安装 在封装框体内。 [0009]优选的， 所述封装框体内开设有固定吸收池的开口槽， 所述开口槽与反射镜组相 对的一侧设置有分别用于安装激光器和探测器的第一装配槽和第二装配槽 。 [0010]优选的， 所述吸收池内侧与激光器和探测器相对的一侧， 开设有一对与吸收池的 光路方向呈45度角的斜面， 所述第一反射镜和第二反射镜分别粘接固定安装在一对斜面说　明　书 1/4 页 3 CN 217443165 U 3