ICS_31. 080. 10 L 41 中华人民共和国国家标准 GB/T 6588-2000 eqv IEC 747-3-1:1986 QC 750001 半导体器件•分立器件 第3部分：信号（包括开关)和调整二极管 第1篇信号二极管、开关二极管和 可控雪崩二极管空白详细规范 Semiconductor devicesDiscrete devices Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes SectionOne-Blank detail specification for signal diodes, switching diodes and controlled-avalanche diodes 2000-10-17发布 2001-10-01实施 国家质量技术监督局发布 GB/T 6588—2000 前言 本标准等效采用IEC747-3-1：1986《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二 极管第1篇-—信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范》对GB/T6588一1986《通 用信号和（或）开关半导体二极管空白详细规范》进行修订。由于IEC747-3-1引用的IEC747-11《半导 体器件第11部分：半导体器件分规范》是1985年版本，在此之后IEC747-11进行了多次修改，我国 已等同采用IEC747-11：1996修订了GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》，为了使标准 更具有先进性和可操作性，本标准引用了GB/T12560一1999。 本标准与GB/T6588-1986的主要差别如下： 1 在标准文本前面增加了前言与IEC前言。 因引用的标准更改而修改的内容有： 引用标准处 GB/T 6588-1986 本标准 全文中涉及到“总 GB/T4936.1-1985《半导体分立 GB/T4589.1-1989《半导体器件 规范”处 器件总规范》 分立器件和集成电路总规范》(IEC 747-10:1984) B8、C8分组电耐 GB/T4938—1985《半导体分立器 GB/T6571—1995《半导体器件 久性 件接收和可靠性》 分立器件第3部分：信号（包括开 关）和调整二极管》(IEC747-3：1985) B3、B4、B5分组 GB/T4937—1985《半导体分立器 GB/T4937-1995《半导体器件机 C3、C4分组 件机械和气候试验方法》 械和气候试验方法》(IEC749：1984) B5分组 GB/T2423.4—1981《电工电子产 GB/T4937-1995《半导体器件机 交变湿热 品基本环境试验规程试验Db：交变 械和气候试验方法》(IEC749:1984) 湿热试验方法》 3 增加了4.4.3"正向浪涌电流”。 增加了可控雪崩二极管的技术内容。 4 5 根据GB/T6571一1995对2个电参数名称进行了修改： 原版4.3.1中“恒定（直流）反向电压”改为“反向直流电压”； 原版4.4.1中“恒定（直流）正向电流”改为“正向直流电流”。 6 根据原文对几个电参数名称和符号或测试条件进行的修改： GB/T 6588-1986 本规范 4.4.1中"Ip(T)" Ir 4.5.1中"Ptor(T)" Prot 4.6和C2分组中“WRM/RSM" ERRM/RSM 5.10中"R” Rtb(i-amb) / Rtb(i-cese) / Rah(i led) B5、B8、C4、C6、C8、C9分组中测试条件“A2分组” A2b分组 C7分组的最后测试"IR1、VI、V(BR）”" 按规定