ICS 77.040 GB CCS H 21 中华人民共和国国家标准 GB/T24578—2024 代替GB/T24578—2015,GB/T34504—2017 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 Test method for measuring surface metal contamination on semiconductor wafers—Total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy 2024-07-24发布 2025-02-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T24578—2024 前言 起草。 本文件代替GB/T24578一2015《硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法》和 GB/T34504一2017《蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法》。与GB/T24578一2015和 GB/T34504一2017相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： 更改了范围（见第1章，GB/T24578—2015和GB/T34504—2017的第1章）； a) b) 增加了“全反射”的定义（见3.1）； c）f 删除了缩略语（见GB/T24578—2015的第4章，GB/T34504—2017的3.2）； (p 更改了方法原理（见第4章，GB/T24578一2015的第5章和GB/T34504一2017的第4章）； e） 更改了干扰因素中掠射角校准的影响、样品表面粗糙度和波纹带来的影响[见5.2.3、5.3.2. GB/T24578一2015的6.2.1、6.3.2和GB/T34504一2017的6.2b）、6.2g）|；增加了掠射角选 择，测试钠、镁、铝元素时的检出限，靶材工作方式的影响，靶材腔室真空度的影响，主腔室氮气 纯度的影响，校准样片与测试样片角扫描不同的影响（见5.1.1、5.1.6、5.2.6、5.2.7、5.2.8、5.3.1)； f) 更改了干扰因素中沾污元素的影响、沾污不均匀的影响[见5.3.4、5.3.5，GB/T34504一2017的 6.3e)、6.3f)」; g) 删除了干扰因素中设备主机高架地板振动的影响、设备所在环境、样品载具、操作人员的手套 洁净度不良等情况的影响［见GB/T34504—2017的6.3a）、6.3c)]； h） 更改了试验条件（见第6章，GB/T24578一2015的第9章和GB/T34504一2017的第7章）； 增加了校准中全反射临界角的近似计算公式（见9.2.3）； 更改了设备的校准（见第9章，GB/T24578一2015第10章、第11章和GB/T34504一2017的第8章）； k） 更改了试验步骤（见第10章，GB/T24578—2015的第12章和GB/T34504—2017的第9章）； 1)1 更改了精密度（见第11章，GB/T24578一2015的第13章和GB/T34504一2017的第11章）； 删除了测试结果的计算（见GB/T34504一2017的第10章）。 m) 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、天通银厦新材料有限公司、浙江海纳半导体股份有 限公司、北京通美晶体技术股份有限公司、深圳牧野微电子技术有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公 司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广东天域半导体股份有限公司、江苏华兴激光科技有限公 司、江苏芯梦半导体设备有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、深圳市深鸿盛 本文件主要起草人：宁永铎、孙燕、贺东江、李素青、朱晓彤、康森、靳慧洁、孙韫哲、潘金平、任殿胜、 张海英、何凌、丁雄杰、刘薇、沈演凤、廖周芳、赵丽丽、张西刚、赖辉朋、廖家豪、 本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为： 一2009年首次发布为GB/T24578一2009； 一本次为第二次修订，并人了GB/T34504一2017《蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量 方法》。 1