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书 书 书犐犆犛 31 . 200 犔 55 /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A 犌犅 / 犜 34893 — 2017 /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 ( 犕犈犕犛 ) /G26 /G27 /G28 /G29 /G2A /G2B /G2C /G2D /G2E 犕犈犕犛 /G21 /G2F /G30 /G31 /G32 /G33 /G34 /G35 /G36 /G37 /G38 犕犻犮狉狅犲犾犲犮狋狉狅犿犲犮犺犪狀犻犮犪犾狊狔狊狋犲犿狋犲犮犺狀狅犾狅犵狔 — 犕犲犪狊狌狉犻狀犵犿犲狋犺狅犱犳狅狉犻狀狆犾犪狀犲犾犲狀犵狋犺犿犲犪狊狌狉犲犿犲狀狋狊狅犳犕犈犕犛犿犻犮狉狅狊狋狉狌犮狋狌狉犲狊狌狊犻狀犵犪狀狅狆狋犻犮犪犾犻狀狋犲狉犳犲狉狅犿犲狋犲狉 2017 11 01 /G39 /G3A 2018 05 01 /G3B /G3C /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G27 /G28 /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G2F /G31 /G32 /G33 /G21 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A /G34 /G35 /G36 /G37 /G38 /G39 /G39 /G3A 目 次 前言 Ⅰ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 测量方法 1 ………………………………………………………………………………………………… 5 影响测量不确定度的主要因素 4 ………………………………………………………………………… 附录 A ( 资料性附录 ) 光学干涉显微镜的典型形式和主要技术特点 5 ………………………………… 犌犅 / 犜 34893 — 2017 前 言 本标准按照 GB / T1.1 — 2009 给出的规则起草 。 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会 ( SAC / TC336 ) 提出并归口 。 本标准主要起草单位 : 天津大学 、 中机生产力促进中心 、 国家仪器仪表元器件质量监督检验中心 、 南京理工大学中国电子科技集团公司第十三研究所 。 本标准主要起草人 : 胡晓东 、 郭彤 、 于振毅 、 李海斌 、 程红兵 、 裘安萍 、 崔波 、 朱悦 。 Ⅰ 犌犅 / 犜 34893 — 2017 微机电系统 ( 犕犈犕犛 ) 技术基于光学干涉的 犕犈犕犛 微结构面内长度测量方法 1 范围 本标准规定了基于光学干涉显微镜获取 MEMS 微结构表面形貌进行面内长度测量的方法 。 本标准适用于表面反射率不低于 4% , 宽深比不低于 1∶10 , 且使用光学干涉显微镜能够获取形貌的 MEMS 微结构 。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。 凡是注日期的引用文件 , 仅注日期的版本适用于本文件 。 凡是不注日期的引用文件 , 其最新版本 ( 包括所有的修改单 ) 适用于本文件 。 GB / T3505 产品几何技术规范 ( GPS ) 表面结构 轮廓法 术语 、 定义及表面结构参数 GB / T26111 微机电系统 ( MEMS ) 技术 术语 GB / T26113 微机电系统 ( MEMS ) 技术 微几何量评定总则 3 术语和定义 GB / T3505 和 GB / T26111 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 。 3 . 1 表面形貌 狊狌狉犳犪犮犲狋狅狆狅犵狉犪狆犺狔 表面结构的宏观和微观几何特性 。 注 : 一般包括表面几何形状 、 表面波纹度 、 表面粗糙度及表面缺陷等 。 3 . 2 面内长度 犻狀狆犾犪狀犲犾犲狀犵狋犺 表面有边缘结构特征的两点 、 点与线或两条线之间的距离 。 4 测量方法 4 . 1 总则 4 . 1 . 1 实施面内长度测量前提是 MEMS 结构具备阶梯型边缘结构 , 两边缘结构 ( 端面 1 和端面 2 ) 之间的距离即为所测微结构的面内长度 , 如图 1 所示 。 1 犌犅 / 犜 34893 — 2017
GB-T 34893-2017 微机电系统 MEMS 技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法
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