书 书 书犐犆犛 ３１ ． ２００ 犔 ５６ 中华人民共和国国家标准 犌犅 ／ 犜 ３６４７７ — ２０１８ 半导体集成电路快闪存储器测试方法 犛犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犻狀狋犲犵狉犪狋犲犱犮犻狉犮狌犻狋 — 犕犲犪狊狌狉犻狀犵犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉犳犾犪狊犺犿犲犿狅狉狔 ２０１８  ０６  ０７ 发布 ２０１９  ０１  ０１ 实施 国家市场监督管理总局 中国国家标准化管理委员会 发布 书 书 书目 　　 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… １ 　 范围 １ ……………………………………………………………………………………………………… ２ 　 规范性引用文件 １ ………………………………………………………………………………………… ３ 　 术语和定义 １ ……………………………………………………………………………………………… ４ 　 一般要求 １ ………………………………………………………………………………………………… 　 ４．１ 　 设备和条件 １ ………………………………………………………………………………………… 　 ４．２ 　 电参数测试向量 １ …………………………………………………………………………………… ５ 　 详细要求 ２ ………………………………………………………………………………………………… 　 ５．１ 　 输出高电平电压和输出低电平电压 ２ ……………………………………………………………… 　 ５．２ 　 输入高电平电压和输入低电平电压 ３ ……………………………………………………………… 　 ５．３ 　 输入高电平电流和输入低电平电流 ５ ……………………………………………………………… 　 ５．４ 　 输出高电平电流和输出低电平电流 ５ ……………………………………………………………… 　 ５．５ 　 输出高电阻状态电流 ６ ……………………………………………………………………………… 　 ５．６ 　 电源电流和漏电流 ６ ………………………………………………………………………………… 　 ５．７ 　 传输时间 ７ …………………………………………………………………………………………… 　 ５．８ 　 建立时间和保持时间 ９ ……………………………………………………………………………… 　 ５．９ 　 延迟时间 １１ …………………………………………………………………………………………… 　 ５．１０ 　 有效时间 （ 适用时 ） １１ ……………………………………………………………………………… 　 ５．１１ 　 存储器的特定时间 １１ ……………………………………………………………………………… 　 ５．１２ 　 存储单元 ０ 变 １ 功能 １１ …………………………………………………………………………… 　 ５．１３ 　 存储单元 １ 变 ０ 功能 １２ …………………………………………………………………………… 　 ５．１４ 　 特殊数据图形功能 １３ ……………………………………………………………………………… 附录 Ａ （ 资料性附录 ） 　 快闪存储器测试流程 １４ …………………………………………………………… Ⅰ 犌犅 ／ 犜 ３６４７７ — ２０１８ 前 　　 言 　　 本标准按照 ＧＢ ／ Ｔ１．１ — ２００９ 给出的规则起草 。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。 本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出 。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ７８ ） 归口 。 本标准起草单位 ： 中国电子技术标准化研究院 、 中芯国际集成电路制造 （ 上海 ） 有限公司 、 上海复旦微电子集团股份有限公司 、 深圳市中兴微电子技术有限公司 、 北京兆易创新科技股份有限公司 、 复旦大学 、 中兴通讯股份有限公司 。 本标准主要起草人 ： 菅端端 、 陈大为 、 钟明琛 、 罗晓羽 、 冯光涛 、 倪昊 、 赵子鉴 、 董艺 、 田万廷 、 高硕 、 闵昊 、 刘刚 。 Ⅲ 犌犅 ／ 犜 ３６４７７ — ２０１８ 半导体集成电路快闪存储器测试方法 １ 　 范围 本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数 、 时间参数和存储单元功能测试的基本方法 。 本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数 、 时间参数和存储单元功能的测试 。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。 凡是注日期的引用文件 ， 仅注日期的版本适用于本文 件 。 凡是不注日期的引用文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改单 ） 适用于本文件 。 ＧＢ ／ Ｔ１７５７４ — １９９８ 　 半导体器件 　 集成电路 　 第 ２ 部分 ： 数字集成电路 ３ 　 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件 。 ３ ． １ 　 快闪存储器 　 犳犾犪狊犺犿犲犿狅狉狔 一种非易失存储器 ， 具有电可擦除可编程的特性 ， 主要特点是可以对大区块进行快速的读写 。 ３ ． ２ 　 最坏情况条件 　 狑狅狉狊狋犮犪狊犲犮狅狀犱犻狋犻狅狀 把电源电压 、 输入信号 、 负载在标称范围内的最不利条件同时加到被测快闪存储器上构成的 。 ４ 　 一般要求 ４ ． １ 　 设备和条件 快闪存储器的电特性测试不限定具体方式和设备 ， 宜在自动测试系统上进行 ， 具体包括但不限于测 试机 、 探针台 、 高低温冲击设备和示波器 。 在电参数测试时 ， 应制定测试向量 ， 使快闪存储器处于所需的工作状态后才能开始测试 ， 关于测试 向量的一般性要求应符合 ４．２ 的规定 ， 测试流程参见附录 Ａ 。 除另有规定外 ， 快闪存储器测试应在环境气压为 ８６ｋＰａ ～ １０６ｋＰａ 、 相对湿度为 ３５％ ～ ８０％ 的范围 内进行 。 测试温度应符合 ＧＢ ／ Ｔ１７５７４ — １９９８ 　 第 Ⅳ 篇 　 第 １ 节 　 ２．１．２ 的规定 。 测试不同参数时的最坏情况可能是不一样的 ， 如果并非全部测试条件都取最不利的数值 ， 则用 “ 部 分最坏情况条件 ” 加以区别 ， 并应同时指明与最坏情况的偏离 。 ４ ． ２ 　 电参数测试向量 所用向量应为功能测试证明正确的向量 ， 且输出逻辑状态符合设计指标要求 。 １ 犌犅 ／ 犜 ３６４７７ — ２０１８